技术编号：7519567
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件。更具体地说，本发明涉及半导体器件中的内部基准电压发生器和内部电源电压发生器。背景技术 在常规的半导体器件中，特别是在半导体存储器器件中，为了实现稳定的低功率运行，内部电源电压是根据外部电源电压产生的并用作芯片上的每个电路的电源。对于半导体器件，晶体管中的电流随温度变化而变化，并因此使具有晶体管的电路的性能受到波动。例如，在温度上升的过程中，在强转换(inversion)过程中，晶体管中的载流子迁移率降低，因此降低了电路中的电流和操作速...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。