技术编号:7520121
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明特别涉及一种包含双栅增强型高电子迁移率晶体管器件(Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor , E-mode HEMT)的集成系统。背景技术由于压电极化和自发极化效应,在III族氮化物半导体异质结构上(Heterostructure),如AlGaN/GaN,能够形成高浓度的二维电子气。另外,III族氮化物半导体,具有高的绝缘击穿电场强度以及良好的耐高温特性。III族氮化物异质结构制备的HEM...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。