技术编号:7521209
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及功率晶体管,具体涉及具有低栅极电路电感的功率晶体管。背景技术在功率电子电路中,例如反相器、转换器等中,通过诸如MOSFET的栅电极、IGBT的栅电极、(双极晶体管的基极电流电极)等来控制诸如MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT (绝缘栅极双极晶体管)和JFET (面结型场效应晶体管)的功率半导体开关。控制功率半导体开关的导通(turn-on)、断开(turn-off)、阻断(blocking)和导电状态的命令在控制器中生成,并...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。