技术编号:7521231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于射频电路领域的功率合成器及其在功率放大器上的一种应用。背景技术随着CMOS集成电路工艺的进步,晶体管的栅氧厚度随着特征尺寸进一步下降,电源电压也进一步下降,例如对于65nm的工艺,电源电压一般为IV。在这样的电源电压下,功率放大器成为了 CMOS集成电路设计的一个难点,受限于晶体管低的击穿电压以及高的衬底损耗,采用一般的设计方法较难得到高的输出功率。为了提高所能够达到的输出功率,功率合成技术被引入到CMOS功率放大器的设计。功率合成技术通过将多路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。