技术编号:7521411
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率器件的驱动电路,特别是涉及对于由高电位侧基准电位的负噪声、dv/dt产生的误信号引起的高电位侧输出的误动作的对策的技术。图9所示的驱动电路具备电平移动电路10’,传输电路30’和驱动器电路50。电平移动电路10’由电阻R1、R2,高耐压场效应晶体管(以下称为「HNMOS晶体管」。)T1、T2构成。传输电路30’包括RS型触发器31,NOR门33、34,NAND门35、36,反相门37、38,由AND门构成的屏蔽信号电路40c。驱动器电路50连...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。