技术编号:7522272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子电路,具体涉及一种IGBT保护方法及保护电路。背景技术IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是控制电路中常见的一种电子器件。在工作过程中,由于内部信号错误、外部干扰等原因,会造成IGBT短路,IGBT内的电流会急剧增加,此时需要关断IGBT的栅极电压,以避免IGBT被烧坏。但是,由于外部各种不同的应用场景的原因,使IGBT在正常工作时的电流也会在短时间内小幅增加或发生短时间的短路过...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。