技术编号:7522596
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电路,特别是指一种采用MOSFET集成驱动芯片构造的、用于驱动功率变换器中的高边功率驱动电路。背景技术传统的高边功率开关管驱动电路,一种(可配合图1所示)是利用电容升压原理, 将高边功率开关管的源极与与之相连的对地一直存在电压的那点之间接一功率二极管,使高边功率开关管关断时其源极由于二极管的反向不导通而与一直对地存在电压的那点断开,同时将升压电容负极通过一电阻直接接地,从而完成对升压电容的充电,这样在这一连接电阻和功率二极管上会消耗大量的能量,导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。