技术编号:7522616
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种带有置位结构和扫描结构的主从D触发器,特别涉及一种抗单粒子翻转(signal event upset)可置位的扫描结构D触发器。背景技术在宇宙空间中,存在大量高能粒子(质子、电子、重离子)和带电粒子。集成电路受这些高能粒子和带电粒子的轰击后,集成电路中会产生电子脉冲,可能使集成电路内部节点原有的电平发生翻转,此效应称为单粒子翻转(SEU)。单粒子轰击集成电路的LET(线性能量转移)值越高,产生的电子脉冲越强。航空、航天领域中使用的集成电路都会...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。