技术编号:7522706
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子集成电路设计领域,如航空电子的中的抗辐照加固技术,特别涉及航空专用集成电路基本电路单元的设计。背景技术太空中的高能离子包括重粒子、质子、α粒子、中子等,它们能导致半导体器件发生单粒子效应,严重影响到航天器的可靠性和寿命。单粒子效应是指辐射中的高能带电离子在穿过电子器件敏感区时,能量沉积,产生大量的电子-空穴对,并在漂移过程中分别被 N区和P区所收集,从而产生瞬时脉冲,使器件敏感节点的逻辑状态受到影响的现象。其中, 造成器件节点产生电平错误翻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。