技术编号：7522930
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于一种逻辑器件，特别是涉及一种碳纳米管“或”门逻辑器件。首先，高密度的集成器件工作时将散发出大量热量。如果散热问题不能很好的解决，将极大地影响集成电路的性能和可靠性。其次，受半导体本身特性的限制，集成电路的运算速度很难再有所提高。以N沟道增强性绝缘栅型场效应管为例，其本征延迟为111ps(本征延迟是指载流子通过沟道的输运所引起的大信号延迟，即沟道从零电荷充电到沟道稳定电荷Qc所需要的时间。)。在一个很大的系统中，各个器件之间延迟的总和会达到微秒...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。