技术编号：7523125
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种霍尔传感器电流读出的电路结构，更具体的说是一种用于霍尔传感器的正交旋转电流读出的电路结构。背景技术对于采用霍尔盘结构的CMOS霍尔传感器集成电路，霍尔盘本身的失调电压，温度漂移以及CMOS工艺本身的噪声(如Ι/f噪声)等非理想因素的影响，会大大降低传感器本身对磁场的感应灵敏度。其中霍尔盘自身的失调电压占主要影响。一种常见的解决方法是用两个甚至更多个霍尔盘互相并联起来，只是让彼此注入的电流方向互相垂直。由于改变电流的方向只会影响霍尔盘失调电压的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。