技术编号:7523346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及一种。背景技术随着半导体集成电路的集成度越来越高,对晶体管性能的要求也日益增高,因此,对于晶体管可靠性的要求随之提高。在CMOS工艺中,在对于PMOS晶体管的可靠性进行评价时,负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability, NBTI)是一个主要的评价因素。负偏压温度不稳定性是指PMOS晶体管在负偏置栅极电压和高温的作用下,PMOS晶体管的栅氧化层与衬底之间的界面处的氢硅键断裂,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。