技术编号:7525413
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘场效应晶体管IGBT或金属氧化物半导体场效应 晶体管MOSFET的死区控制驱动信号的发生电路,尤其涉及一种用于在 半桥式或全桥式功率电路中作为死区控制驱动信号的发生电路,如使用在 电磁炉、大功率焊接设备、大功率开关电源等功率变换电路中。背景技术现有技术中, 一般由IGBT或MOSFET组成的半桥式或全桥式变频功率 电路中,需要以产生频率可变的两路具有死区控制的两路或四路输出信号 (方波或近似方波)。通常是通过设置专用芯片来解决这一问题,但...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。