技术编号：7525995
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及模拟电路，并且更特别地涉及运算放大器。背景技术许多现有技术的CMOS(互补金属氧化物半导体)运算放大器依赖外部偏置以便在饱和区中对在运算放大器中担任电流源(或有源负载)的各个FET(场效应晶体管)进行偏置。可是，外部偏置可能对加工技术、电源电压以及温度很敏感。此外，因为运算放大器的总增益和输出电阻二者可能都很高并难以精确模拟，所以零差动输入电压的输出节点电压很难预知。一般来说，这些节点电压对于零差动输入电压应该为或者接近Vcc/2，在此，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。