技术编号:7527649
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的差分型单边沿D触发器,包括差分结构的主触发器和差分结构的从触发器;所述主触发器由构成差分结构的两个PMOS管m3和m4,两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2构成;所述从触发器由构成差分结构的两个PMOS管m7和m8、两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6、两个反相器INV1和INV2构成。本实用新型的有益效果是通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。