技术编号:7528239
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开一种上升沿检测电路,由双稳态存储单元、非对称延迟单元、反相器和多个NMOS晶体管组成,只要非对称延迟电路满足上升沿延迟与下降沿延迟之和大于输入信号的脉冲周期且下降沿延迟很小时,就能够产生最大脉宽接近输入信号脉冲周期的输出信号,可满足后续设备的使用要求。本实用新型不但结构简单,还具有自启动功能,当输入信号的初始低电平长度大于非对称延迟电路的上升沿延迟,就能够实现自启动。专利说明上升沿检测电路 [0001]本实用新型涉及一种上升沿检电路,尤...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。