技术编号:7528485
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种可使被控功率控制器件(MOSFET或IGBT)的开通和关断时间较短,驱动电流足够大的功率控制用驱动电路。其包括驱动电路前级,用于根据外部送入的PWM信号或逻辑信号控制其电压输出端的输出电压;N-MOSFET,其栅极接驱动电路前级的电压输出端;该N-MOSFET的栅极与源极之间设有第一电阻,N-MOSFET的漏极接驱动电源;P-MOSFET,其栅极接驱动集成电路的电压输出端;N-MOSFET的源极与P-MOSFET的源极之间设有第二电阻;被...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。