技术编号:7528855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种可以应用于辐射环境下的锁存器,可以抵抗SEU和部分MBU。当锁存器的存储节点以及输入信号由于粒子轰击而发生双比特翻转时,该锁存器能够通过保护门泄放掉沉积在敏感节点上的电荷,从而使锁存器的存储状态不会发生改变,使正确电平信号传入后级电路。为此,本实用新型采用的技术方案是,应用四输入保护门的抗辐射锁存器,由7个传输门TG1~6,3个反相器INV1~3,3个二输入保护门(Double Input Guardgate...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。