技术编号：7529500
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路领域，特别涉及栅压自举开关的衬偏效应消除技术。背景技术在模拟电路中，通常用MOS(金属氧化物半导体)晶体管来实现开关的功能。以N型MOS开关为例，MOS管的导通电阻与栅极到源极的电压有关，该电压越小则导通电阻越大。一般在开关导通时，栅极电压固定在一个高电平，源极接输入信号。因而，导通电阻会随着输入信号的变化而变化，尤其是当信号电压接近栅极电压的时候，N型MOS管近似关断。为了能处理较高电压的信号，通常将栅极接最高电平，也就是电源电压，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。