技术编号:7530594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电路领域,更具体地,本发明涉及一种延迟电路。背景技术延迟电路在半导体行业中得到了广泛的应用。通常,延迟电路由基于如图1所示的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器单元10所构成。如图所示,当CMOS反相器单元10工作时,P型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) 101或N型M0SFET102会与负载电容104一起构成一个电阻-电容(RC)回路。该回路具有传输延时,能够使输入信号延迟。一般来说,CMOS反相器单元10不会受电源电压的影响而剧烈变...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。