技术编号:7530961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到开关高频信号的半导体开关电路,尤其是改善了工作特性的半导体开关电路。背景技术 在处理高频信号的袖珍电话、移动无线通讯设备等设备中使用开关半导体集成电路,这种电路使用GaAs化合物半导体材料制成的场效应晶体管MESFET(金属-半导体场效应晶体管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)等进行高频信号的开关。由于这样的袖珍移动通讯终端设备用电池供电,需要有特别是在低压下能开关高频信号的开关半导体集成电路。作为这样一种开关半导体集成电路,已公开和广泛知道的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。