技术编号:7533542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于IGBT的驱动电路,这种电路在切换绝缘栅双极晶体管(下面缩写为“IGBT”)时,具有在较低的dv/dt(电压的变化速率)模式和较高的dv/dt模式(也称为“正常模式”)中选出一个模式,以减小高频漏电流的功能。图7示出一种上述用于IGBT的驱动电路的已知实例。在图7中,驱动电路包括用于产生正向偏置电流的电源1、用于产生反向偏置电流的电源2、用于使IGBT正向偏置的MOS场效应晶体管(MOSFET)3、用于使IGBT反向偏置的MOSFET 4...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。