技术编号：7534100
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如在功率放大器中使用的低压晶体管的偏置。通过调节晶体管的栅-源电压(VGS)，功率放大器中的场效应晶体管(FET)可用于控制放大器的增益。有时，例如MESFET晶体管，需要用负电压偏置晶体管的栅极。然而，由于负电压要由有限的公用正电源电压例如电池产生，因此很难产生很高的负电压值。在一些应用中，例如，在无线电话中，需要能够完全关断晶体管，以确保当假定电话不发射信号时，发射很小的射频能量。这可以通过将晶体管的栅极偏置到能确保栅极的电压决不会达到晶体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。