技术编号:7534219
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于微波、毫米波振荡用的耿氏二极管,尤其涉及能改善散热性、提高合格率及对平面回路安装容易的耿氏二极管、其制造方法和其安装结构。此外,本发明涉及将NRD波导(Non Radiative Dielectic Wave Guide非辐射性介质波导)回路和耿氏二极管组合而构成的NRD波导耿氏振荡器。微波和毫米波振荡用的耿氏二极管一般由砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)之类化合物半导体形成。在这些化合物半导体中,对于在弱电场下电子的迁移率高达数千cm2/...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。