技术编号:7535515
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率晶体管过电流保护电路,特别是涉及一种电压驱动型功率晶体管的过电流保护电路,例如是一种IGBT(绝缘栅双极型晶体管),或是一个MOSFET(MOS场效应晶体管)。该保护电路对由负载短路等产生的过电流提供快速限制,从而在一个安全工作范围内切断电路实现保护。IGBIs(绝缘栅双极型晶体管),被广泛称之为电压驱动型晶体管。由于它们的低开启电压,和MOS管栅极结构一样的小的驱动功率,较快的开关特性,IGBTs的应用领域已迅速扩大。开启电压和开关速度...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。