技术编号:7535959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用电子在纳米数量级的小尺寸时的性能的纳米电子器件(nanoelectronic device)。作为背景知识,众所周知在原子或分子大小或纳米(nm)时,在适当的材料中,电子的传输性能会发生显著改变。为了得到电子的无散射高迁移率、使得电子具有长的平均自由程(即可认为电子在其流动路径中是弹道式的),通常要形成所谓的二维电子气(2DEG)。实现这一点的一种途径示于附图说明图1A,即在掺有杂质14的几个微米厚的GaAs层12上形成非常薄的(≤100nm...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。