技术编号：7535989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体器件的控制电路，特别是关于一种电力电子领域中的 用于绝缘栅双极晶体管(IGBT， Insulated Gate Bipolar Transistor)的斜率与峰值综合 控制电路。背景技术IGBT是当前应用最为广泛的可关断电力电子器件，从低压电器到高压输配电设 备、从民用电力设施到军事装备、从传统的火力发电到新能源发电，都应用了这种器件。在 普通的应用场合中，采用普通的IGBT控制与保护电路，就可以满足运行要求。但在一些特 殊的应用领...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。