技术编号:7536318
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种激励电路,特别涉及含同相微分器的磁通门传感器激励电路。 背景技术剩磁误差是磁传感器受到较强磁场干扰后,因磁性材料的剩磁变化产生的附加误差。与 其他磁传感器相比,磁通门传感器的剩磁误差较小,但在高要求场合必须进一步降低剩磁误 差。提高激励电流可以有效降低磁通门传感器的剩磁误差,但也造成了功耗大的问题。文献l"Pulse Excitation of Micro-Fluxgate Sensors, IEEE TRANSACTIONS ON MA...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。