技术编号：7539089
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电涌吸收元件。背景技术 由于IC和LSI等半导体装置因高压静电受到破坏，或者特性变坏。因此，在半导体装置中，作为静电对策使用变阻器(varistor)等电涌吸收元件。但是，由于以变阻器为代表的电涌吸收元件具有寄生电容成分和寄生电感成分。因此，若将电涌吸收元件应用于处理高速信号的电路中会使信号变差。为了将电涌吸收元件应用于处理高速信号的电路中，若不减小电涌吸收元件的寄生电容成分，就不能避免高速信号的瞬变上升特性和延迟特性的劣化。但是，若减小电涌吸收...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。