技术编号:7541022
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术。具体而言,本发明涉及用于X射线系统的高压发生器的高速,高压开关。将诸如IGBT或MOS-FET的开关元件用于高速高压开关。然而,所述开关元件的输入端处的电路元件或寄生元件限制了所述开关元件的开关速度。本发明提出了向所述开关元件的所述输入端施加高于允许的电压,例如,高于IGBT或MOS-FET的最大允许栅极电压的电压,以提高开关速度。提供用于保存操作的反馈环路,因而,提供了用于高速开关的开关电路(20),其包括放大器电路(22),所述放...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。