技术编号:7542593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供第一衬底,所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;沿第一表面刻蚀第一衬底,形成真空腔和外部开口,其中真空腔的深度小于外部开口深度;提供第二衬底,所述第二衬底表面具有振动晶体;将第一衬底与第二衬底键合,所述真空腔正对振动晶体;沿第二表面减薄第一衬底,其中,第一衬底厚度减去外部开口深度<减薄第一衬底厚度<第一衬底厚度减去真空腔的深度。本发明实施例提供的晶振形成方法工艺简便,工艺窗口宽。专利说明 [0001]本发明涉及...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。