技术编号：7542875
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种用于提高电压驱动能力的缓冲器，所述缓冲器设有4个NMOS管MN1、MN2、MN3和MN4，三个PMOS管MP1、MP2和MP3，以及一个电阻R。本发明缓冲器中，差分放大器和输出形成负反馈，使输出电压的变化随环境的变化很小；缓冲器中的电流源用NMOS管，即MN1、MN4代替以往的PMOS管，很好的降低了缓冲器的电流，降低了整个模块的功耗；输出采用电阻R，使缓冲器的输入电平保持在较低水平；本发明结构简单，驱动能力强，同时保证输出电压的稳定性。专利说明—种用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。