技术编号:7543735
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及无线通信,公开了一种低噪声放大器,所述低噪声放大器采用共源共栅结构,包括一个跟随电容,所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。本实用新型通过在共源结构MOS管的栅极和参考地之间设置一个跟随电容,并折中优化其电容值来提高线性度。本实用新型的电路结构简单,功耗降低,能够有效提高输入三阶交调点IIP3,提高低噪声放大器的增益,而对接收系统中后级的噪声系数不产生影响,进而改善了线性度,能够从整体上优化低噪声放大器的性能。专利说明低噪声放...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。