技术编号:7545174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。按照实施例,倍频电路包括被耦合到倍频电路的输入端口的差分晶体管对、其输入被耦合到差分晶体管对的输出的第一差分共源共栅级、耦合在差分晶体管对的输出和第一差分共源共栅级的输入之间的多个第一阻抗元件,和耦合在第一差分共源共栅级和倍频电路的输出端口之间的输出组合网络。专利说明 [0001]本发明大体上涉及半导体电路和方法,并且尤其涉及。 背景技术 [0002]由于像硅锗(SiGe)的低成本的半导体技术以及精细几何互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的快速...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。