技术编号:7546221
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及用于减少MOSFET闪烁噪声的模块化方法。在一个示例性的实施方案中,本申请提供了一种减少器件中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的闪烁噪声的模块化方法。首先,电路设计者可以选择器件中的一个或多个表面沟道MOSFET。然后,一个或多个表面沟道MOSFET被转换为一个或多个掩埋沟道MOSFET,以降低闪烁噪声。一个或多个掩模可被应用到一个或多个表面沟道MOSFET的沟道。该技术可用在运算放大器的输入端,更具体地,轨对轨运算放大器,以及其它...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。