技术编号:7546568
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,该声波谐振器包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构,压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极;压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿,释放窗口阵列形成了释放通道;牺牲层中间设置有中空部分,该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔;空气腔通过释放位于硅衬底正面的牺牲层形成,其释放通道由贯穿压电薄膜换能器堆叠结构的释放窗口阵列组成;根据该FBAR气隙的功能和结构特征,本发明制作方法有利于改进其可制造性,并且...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。