技术编号:7598885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器的制造方法;尤其是关于一种执行垫蚀刻处理两次和改变垫布局,而能够保护低温氧化物层,免于在垫周边区发生剥落现象的CMOS影像传感器的制造方法。背景技术 一般而言,影像传感器是一种可以将光影像转变成电讯号的半导体组件。电荷耦合组件(CCD)是一种将每一个金属-氧化物-硅(MOS)电容器紧密接放置,且将电荷载子储存电容器中或在电容器之间转移的半导体组件。而CMOS影像传感器则是一种根据使用周边电路,如控制...
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