技术编号:76807
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种IGBT(IGBT,绝缘栅双极晶体管的英文首字母,hsulated Gate Bipolar Transistor)驱动保护电路,特别是一种在变频器、开关电源、UPS(不间断电源) 等设备中作为功率开关器件的绝缘栅双极晶体管IGBT的驱动保护电路。背景技术目前,由于绝缘栅双极晶体管IGBT具有容易驱动且能以高的开关频率处理大电流和高电压的特点,因而国内外大功率变频器、开关电源、UPS等设备中,广泛使用IGBT作为功率开关器件,因此IGBT驱动保护电路就成为关系到变频器等整机工作可靠性的重要电路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。