技术编号:7692079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明一般涉及成像器件,更具体地说,涉及具有串联阵列电容器的互补金属氧化物半导体(CMOS)像素单元。 背景技术 成像器件,包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器,已广泛使用在光电成像应用中。 示范CMOS成像电路,其工艺步骤以及成像电路中各种CMOS元件功能的详细说明在以下专利中进行了描述,例如授予Rhodes的美国专利No.6,140,630、授予Rhodes的美国专利No.6,376,868、授予Rhodes等人的美...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。