技术编号:77119
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及极端紫外线(UV)辐射生成设备,尤其涉及利用了锡基等离子体的激励 的EUV辐射生成设备。背景技术本发明涉及极端UV辐射生成设备的极端UV辐射反射元件。这些设备据信对于半 导体工业的即将到来的“下一代”光刻工具将发挥很大作用。众所周知,对于例如约20nm或更小波长的极端紫外线(‘EUV’)光(有时也被称为 例如13. 5nm的软X射线),反射性光学元件将被需要,例如用于收集并聚焦从源材料创建 的等离子体产生的EUV光。在所涉及的波长处,反射器的入射掠射角或所谓的法向入射角 对于收集和聚焦从等离子体发...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。