互补金属氧化物半导体图像传感器的制作方法技术资料下载

技术编号:7716521

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本发明主要涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,更具体地涉及一种CMOS图像传感器,其利用多边形单位像素,或者各具有宽长比为12的矩形单位像素,从而在保持灵敏度的同时使分辨率加倍。背景技术近来,数码相机或者相机电话已快速得到研发并商业化。这种数码相机或者相机电话利用半导体传感器感测光。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或者电荷耦合器件(CCD)传感器作为半导体传感器现己广泛应用。CMOS图像传感器为一种利用CMOS制造技术将光学图像转换为...
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