技术编号:7754047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)固态成像装置,该CMOS固态成像 装置通过将经像素部分中的光电转换获得的电荷从传输栅极(transfer gate)传输到电 荷_电压转换装置来获得图像信号。背景技术CMOS固态成像装置比CXD (电荷转移装置)可以有更小的尺寸和功耗,因此在数码 静态相机或蜂窝电话中用作成像装置。为了进一步实现CMOS固态成像装置的尺寸和功耗的减小,必需通过依据比例定 律减小每一像素的面积和减少形成像素的元件的大小来降低电源电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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