技术编号:7755506
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及射频领域,尤其是pHEMT(赝高电子迁移率晶体管)射频开关静电保护 装置及包含该装置的射频前端模块。背景技术随着现代无线通信技术的不断发展,出现了多种通信标准并存的局面,如GSM, WCDMA, CDMA, TD-SCDMA等等。为了使同一个无线通信手机终端能够在全世界范围内通用, 要求手机终端必须同时支持这些不同的通信标准。因此,在手机终端中需要多个支持不同 通信标准的射频功率放大器,并且采用射频开关来将需要的射频功率放大器切换到发射通 道。同...
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