技术编号:7824459
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要,所述像素点结构包括第一NMOS管、第二NMOS管、光电传感器、电流源;所述第一NMOS管的漏极选择性连接至第一电压或第二电压,所述第一NMOS管栅极选择性连接至第三电压或第四电压,所述第一NMOS管源极连接至所述第二NMOS管的栅极以及所述光电传感器;所述第二NMOS管的漏极连接至所述第三电压,所述第二NMOS管的源极连接至所述电流源,所述第二NMOS管的源极选择性连接至第三电压或所述像素点输出端。所述像素点结构可以用来稳定第三电压。专利说明 技术领域 [0001]本发明涉及电子领域,尤其涉及。 背...
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