技术编号:78289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体制造技术,尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。背景技术现代集成电路制造中的普遍趋势是生产尺寸越来越小的半导体器件,例如存储单J Li ο虽然制造纳米尺度的晶体管允许将更多的晶体管集成在单个晶片上,从而能够在更小的区域中形成更大的电路系统,然而晶体管尺寸的不断缩小导致沟道长度的减小,从而引起愈发严重的短沟道效应(SCE)。超薄绝缘体上硅(UTSOI)是用于抑制短沟道效应的一种典型技术。如图1所示,在绝缘体上硅结构100中,硅衬底101和顶层硅103之间有一层作为绝缘层的二氧化硅102,称为埋氧...
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