技术编号:7856056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种带全局快门的双浮动扩散区结构的金属氧化物半导体图像传感器。背景技术众所周知,图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体上可以分为电荷稱合元件(Charge-Coupled Device,简称“CO)”)和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称 “CMOS”)图像传感器。现有的CMOS图像传感器包括CMOS数模电路和像素单元电路阵列。 根据其读出方式,现有的CMOS图像传感器大致...
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