技术编号：7863675
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种低负载增益寄存器链，属于EMCXD电子倍增技术领域。背景技术随着CCD技术的发展，本世纪初电子倍增CCD(Electron Multiplying CCD，EMCCD)问世。与常规的CXD技术不同，EM CXD在其读出(转移)寄存器后又接续一串可控的增益寄存器，使信号电荷在读出过程中通过碰撞电离得到增强，实现高灵敏度成像探测。增益寄存器中碰撞电离的高压电场由外加在增益寄存器栅上的高压驱动脉冲和相邻栅上的低电平直流偏置电压产生。高压驱动脉冲的高电平幅度约为20 45V，通过控制其高电平幅度可以实...
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