技术编号：7891646
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及射频发射器、集成电路设备、无线通信单元及其通讯方法。背景技术随着深亚微米CMOS (互补金属氧化物半导体)工艺的不断进步，数字电路变得更小且更省电。然而，深亚微米CMOS工艺对改变模拟电路的大小并不是特别有效。因此，在很多设备(如射频(RF))发射器中，为了能够更多使用深亚微米CMOS工艺以减小尺寸，总是希望尽可能多地(例如在数字信号处理算法的协助下)移除模拟组件或模拟电路。 此外，很多传统的射频发射器使用线性功率放大器(PA)，由于线性功放的效率通常较低，导致此类传统的射频发射器的效率也较低。因...
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