技术编号:7911820
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及具有光电转换元件的固体摄像装置和相机。背景技术在固体摄像装置(例如,CCD图像传感器和CMOS图像传感器)中,作为受光单元的光电转换元件的光电二极管中的晶格缺陷以及在该受光单元与该受光单元上的绝缘膜之间的界面处的界面态密度(interface statedensity)是暗电流的起源,上述情况是公知的。据此,作为抑制由界面态密度导致的暗电流的产生的方法,埋入型光电二极管结构是有效的。埋入型光电二极管例如是这样构成的形成η型半导体区域,并且在这样的η型半导体区域的表面上(即,与绝缘膜的界面附近)形成...
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