技术编号：7916978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种对由光电转换获得的图像信号进行处理的 。背景技术近年来，由于互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器具有低 的电功耗，示出了与电荷耦合器件(CCD)同等的高信噪比(SN 比)，并且可以由与光电转换单元相同的半导体处理制造其信号 处理电路，因此该互补金属氧化物半导体传感器已经引起了广 泛的注意。图9是示出包含多个像素的传统CMOS传感器中的用于一 个像素的信号的读出路径以及用于处理读出信号的结构的图。 当CMOS传感器的曝光开始时，首先接通开关SWl,并且在放 大器510的输入部中对在主要包括浮动...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。